แผงวงจร PCB ของปลั๊กแบบอิมพีแดนซ์ 10 ชั้น

การจำแนกประเภท:

มีสื่อจัดเก็บข้อมูลสองประเภทสำหรับไดรฟ์โซลิดสเตตหนึ่งคือการใช้หน่วยความจำแฟลช (ชิปแฟลช) เป็นสื่อการจัดเก็บและอื่น ๆ คือการใช้ DRAM เป็นสื่อการจัดเก็บ ล่าสุดคือเทคโนโลยีอนุภาค Xpoint ของ Intel

SSD ที่ใช้แฟลช:

ไดรฟ์โซลิดสเตตที่ใช้แฟลช (ดิสก์ ideflash, ดิสก์ ATA Flash อนุกรม): ใช้ชิปแฟลชเป็นสื่อการจัดเก็บซึ่งเป็นที่รู้จักกันทั่วไปว่าเป็น SSD รูปลักษณ์ของมันสามารถทำในรูปแบบที่หลากหลายเช่น: ฮาร์ดไดรฟ์โน้ตบุ๊กฮาร์ดไดรฟ์ขนาดเล็กการ์ดหน่วยความจำแฟลชไดรฟ์ USB และสไตล์อื่น ๆ ข้อได้เปรียบที่ใหญ่ที่สุดของไดรฟ์โซลิดสเตต SSD นี้คือสามารถเคลื่อนย้ายได้การป้องกันข้อมูลไม่ได้ถูกควบคุมโดยแหล่งจ่ายไฟสามารถปรับให้เข้ากับสภาพแวดล้อมที่หลากหลายและเหมาะสำหรับผู้ใช้รายบุคคล ชีวิตที่ยืนยาวขึ้นขึ้นอยู่กับสื่อแฟลชที่แตกต่างกัน โดยทั่วไปแล้วหน่วยความจำแฟลช SLC ถึง PE หลายหมื่นครั้ง MLC สามารถเข้าถึงได้มากกว่า 3, 000 ครั้งและ TLC สามารถเข้าถึงได้ประมาณ 1, 000 ครั้ง QLC ล่าสุดสามารถรับประกันได้ว่าจะมีอายุ 300 ครั้งและปริมาณการเขียนประจำปีของผู้ใช้โดยเฉลี่ยไม่เกิน 50 เท่าของขนาดโดยรวมของฮาร์ดไดรฟ์ แม้แต่หน่วยความจำแฟลช QLC ที่ถูกที่สุดก็ยังมีอายุการเขียน 6 ปี ความน่าเชื่อถือสูงไดรฟ์สถานะโซลิดสเตตที่มีคุณภาพสูงอัตราความล้มเหลวสามารถเข้าถึงหนึ่งในสิบของฮาร์ดไดรฟ์เชิงกลแบบบ้านธรรมดา

ขึ้นอยู่กับ DRAM:

ไดรฟ์โซลิดสเตตที่ใช้ DRAM: DRAM เป็นสื่อการจัดเก็บมีช่วงแอปพลิเคชันที่แคบ มันเลียนแบบการออกแบบฮาร์ดไดรฟ์แบบดั้งเดิมสามารถใช้สำหรับการตั้งค่าระดับเสียงและการจัดการเครื่องมือระบบไฟล์ในระบบปฏิบัติการส่วนใหญ่และให้อินเทอร์เฟซ PCI และ FC มาตรฐานมาตรฐานสำหรับการเชื่อมต่อกับโฮสต์หรือเซิร์ฟเวอร์ วิธีการใช้งานแบ่งออกเป็นสองประเภท: ฮาร์ดไดรฟ์ SSD และอาร์เรย์ฮาร์ดไดรฟ์ SSD มันเป็นหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงที่สามารถเขียนได้อย่างไม่สิ้นสุดในทางทฤษฎี ข้อเสียเปรียบเพียงอย่างเดียวคือต้องใช้แหล่งจ่ายไฟอิสระเพื่อป้องกันความปลอดภัยของข้อมูล DRAM SSD เป็นอุปกรณ์ที่ไม่ได้เป็นหลัก

ขึ้นอยู่กับ 3D XPoint:

ไดรฟ์โซลิดสเตตที่ใช้ XPoint 3D: โดยหลักการแล้วมันอยู่ใกล้กับ DRAM แต่มันเป็นของที่เก็บข้อมูลที่ไม่ระเหย เวลาแฝงการอ่านต่ำมากเข้าถึงได้อย่างง่ายดายหนึ่งเปอร์เซ็นต์ของ SSD ที่มีอยู่และมีอายุการจัดเก็บไม่ จำกัด ข้อเสียคือความหนาแน่นต่ำกว่า NAND ค่าใช้จ่ายสูงมากและส่วนใหญ่จะใช้ในเดสก์ท็อประดับไข้และศูนย์ข้อมูล

แผ่นข้อมูล